​“厦门力量”助推第三代半导体技术创新

“厦门力量”助推第三代半导体技术创新

2024年度中国第三代半导体技术十大进展发布，其中三项成果有厦门企业、高校身影

厦门日报讯（记者 林露虹）2024年度中国第三代半导体技术十大进展近日发布，其中三项成果有厦门企业、高校的身影，彰显厦门发展第三代半导体产业的质量和成色。

这些技术进展，是在苏州举行的“第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛”上揭晓的。大会程序委员会表示，这些技术进展不仅代表了第三代半导体行业的技术前沿，也预示着产业发展的新方向。

为新型显示技术提供新方案

作为第三代半导体的关键应用领域，Micro-LED拥有高亮度、长寿命、低功耗等特点，被认为是下一代主流显示技术。此次发布的技术进展中，与Micro-LED相关的成果备受关注。

其中，南京大学、厦门大学、合肥工业大学等高校联合攻关“氮化镓基高铟组分红光材料及其Micro-LED器件技术”，并进一步与厦门未来显示研究院、天马微电子公司合作，共同研制出国际上第一块基于铟镓氮基红绿蓝Micro-LED芯片的1.63寸、像素密度达403PPI的TFT驱动全彩显示屏，完成了Micro-LED全彩显示方案的新技术验证。

目前，市面上常规的Micro-LED显示屏，蓝光和绿光芯片用铟镓氮材料制作，而红光芯片采用铝铟镓磷材料，高温环境会出现显示屏幕偏蓝等问题。首次成功用铟镓氮材料制备的红光芯片开发出的全彩显示屏，证实了全氮化物显示技术的可行性，为未来新型显示技术提供了新的全彩技术方案。

解决半导体制造关键技术瓶颈

十大技术进展中，“高功率密度、高能效比深紫外Micro-LED显示芯片”，由思坦科技参与联合攻关的重大创新项目——基于高功率AlGaN（铝镓氮）深紫外Micro-LED显示的无掩膜光刻技术研发制成。

光刻技术是集成电路制造的“心脏”，在传统光刻过程中，掩膜版的制造和更换成本高，光刻效率也受到多重限制。思坦科技研发的高功率AlGaN深紫外Micro-LED技术，利用无掩膜光刻的方法，不仅解决了半导体制造中的关键技术瓶颈，还提供了一条制造成本更低、曝光效率更高的解决方案。这项研究成果，于今年10月在国际权威学术期刊 Nature Photonics（《自然光子学》）上发表。

思坦科技是业内最早研发Micro-LED的企业之一，其在厦门火炬高新区建设的国内首条Micro-LED单片键合生产线，于今年6月点亮投产。